| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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IXTQ110N10P |
TO-3P-3，SC-65-3 | IXYS | 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923 询价QQ：  |
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IXTQ110N10P参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：110A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3550pF @ 25V 功率 - 最大值：480W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 芯片电阻 - 表面WSR2R1500FEA 薄膜电容器B32776E1146J 保险丝37411000430 Card EdgeACM10DTBT-S664 阵列，信号变压器CTX100-4 快动，限位，拉杆D3V-6G6M-2A4 Card EdgeACC13DREH-S93 评估板 - 传感器AC164135 嵌入式 - 微控制C8051F221R PMIC - 激光ADN2872ACPZ-R7 |
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