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IXTQ110N10P |
TO-3P-3，SC-65-3 | IXYS | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
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IXTQ110N10P参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P 包装数量：30 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：100V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：110A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3550pF @ 25V 功率 - 最大值：480W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 高负载 - 配件1408559 接线座 - 接头，1946600000 圆形MS27484T18A35PB 高负载 - 插件，1894770000 芯片电阻 - 表面MCA12060D2611BP100 存储器 - 直插式0879779001 逻辑 - 移位寄存BU4094BC 面板指示器，指示灯1050QN4 矩形- 接头，公引GBC32DABN-M30 矩形- 接头，公引0010977266 |
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